IXGN72N60A3【PDF 1/6 页】IGBT 160A 600V SOT-227B

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Preliminary Technical Information

GenX3 TM 600V IGBT

Ultra Low Vsat PT IGBT for

IXGN72N60A3

V CES = 600V

I C110 = 68A

V CE(sat) ≤ 1.35V

up to 5kHz switching

SOT-227B, miniBLOC

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

E153432

V CES

V CGR

V GES

V GEM

T J = 25 ° C to 150 ° C

T J = 25 ° C to 150 ° C, R GE = 1M Ω

Continuous

Transient

600

±20

±30

I C25

I C110

T C = 25 ° C (Chip capability)

T C = 110 ° C

160

I LRMS

I CM

SSOA

(RBSOA)

P C

T J

T JM

T stg

V ISOL

M d

Weight

Terminal Current Limit

T C = 25 ° C, 1ms

V GE = 15V, T VJ = 125 ° C, R G = 3 Ω

Clamped inductive load

T C = 25 ° C

50/60Hz t = 1min

I ISOL ≤ 1mA t = 1s

Mounting torque

Terminal connection torque (M4)

100

400

I CM = 150

@ 0.8 ? V CES

360

-55 ... +150

150

-55 ... +150

2500

3000

1.5/13

1.3/11.5

° C

Nm/lb.in.

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

Either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

Features

Optimized for low conduction losses

Isolation voltage 3000 V~

Square RBSOA

International standard package

A dvantages

High power density

Low gate drive requirement

Applications

Symbol Test Conditions

(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Power Inverters

UPS

BV CES

V GE(th)

I C

= 250 μ A, V GE = 0V

= 250 μ A, V CE = V GE

600

3.0

5.0

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

I CES

I GES

V CE = V CES

V GE = 0V

V CE = 0V, V GE = ±20V

T J = 125 ° C

75 μ A

750 μ A

±100 nA

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

Inrush Current Protection Circuits

V CE(sat)

I C

= 60A, V GE = 15V, Note 1

1.35

DS99607A(11/08)

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IXGN72N60C3H1 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 52A RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IXGN80N60A2 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IXGN80N60A2D1 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IXGN82N120B3H1 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

IXGN82N120C3H1 功能描述:IGBT 晶体管 130Amps 1200V RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

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